CN 41-1243/TG ISSN 1006-852X

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CVD单晶金刚石[NV]和[SiV]缺陷的抑制与消除

吴晓磊 徐帅 赵延军 吴啸 常豪锋 郭兴星

吴晓磊, 徐帅, 赵延军, 吴啸, 常豪锋, 郭兴星. CVD单晶金刚石[NV]和[SiV]缺陷的抑制与消除[J]. 金刚石与磨料磨具工程, 2020, 40(5): 42-44. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.5.0007
引用本文: 吴晓磊, 徐帅, 赵延军, 吴啸, 常豪锋, 郭兴星. CVD单晶金刚石[NV]和[SiV]缺陷的抑制与消除[J]. 金刚石与磨料磨具工程, 2020, 40(5): 42-44. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.5.0007
WU Xiaolei, XU Shuai, ZHAO Yanjun, WU Xiao, CHANG Haofeng, GUO Xingxing. Suppression and elimination of [NV] and [SiV] defects in CVD single crystal diamond[J]. Diamond & Abrasives Engineering, 2020, 40(5): 42-44. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.5.0007
Citation: WU Xiaolei, XU Shuai, ZHAO Yanjun, WU Xiao, CHANG Haofeng, GUO Xingxing. Suppression and elimination of [NV] and [SiV] defects in CVD single crystal diamond[J]. Diamond & Abrasives Engineering, 2020, 40(5): 42-44. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.5.0007

CVD单晶金刚石[NV]和[SiV]缺陷的抑制与消除

doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.5.0007
详细信息
    作者简介:

    吴晓磊,男,1988年生,硕士研究生,工程师。主要研究方向:CVD金刚石及专用装备。E-mail: wxl@zzsm.com

  • 中图分类号: TQ164

Suppression and elimination of [NV] and [SiV] defects in CVD single crystal diamond

  • 摘要: 反应气体中添加体积分数0.001%的N2,研究CVD金刚石PL(photoluminescence spectroscopy,PL)光谱发现,与N杂质相关的[NV]0与[NV]-和与Si杂质相关的[SiV]是金刚石中的主要杂质缺陷。经过高温高压(high temperature and high pressure,HPHT)处理后,[NV]0峰的强度被削弱,[NV]-峰的强度被增强,[SiV]峰的强度被显著增强,并新出现了[SiV]-宽峰。反应气体中N2体积分数降至0.000 1%并添加0.5%的O2后,[NV]0与[NV]-峰消失,O2升高至1%后[SiV]峰强度出现了明显降低,继续升高O2含量,[SiV]峰强度下降趋势变缓,这些现象证明了添加少量O2有助于CVD金刚石中N和Si杂质缺陷的抑制与消除。

     

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出版历程
  • 修回日期:  2020-10-10
  • 网络出版日期:  2022-04-06

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