固结磨料研磨蓝宝石晶片的工艺优化

郑方志; 朱永伟; 朱楠楠; 王凯; 沈琦

doi:10.13394/j.cnki.jgszz.2016.1.0003

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固结磨料研磨蓝宝石晶片的工艺优化

doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2016.1.0003

南京航空航天大学机电学院, 江苏省精密与微细制造技术重点实验室, 南京 210016

基金项目:

航空科学基金（2014ZE52055）；国家自然科学基金（51175260）

详细信息

作者简介:
郑方志,男,1989年生,硕士研究生。研究方向:精密超精密加工。E-mail:zhaojianp4@qq.com

通讯作者:
朱永伟,男,1967年生,教授,博士生导师。研究方向:精密超精密加工、表面工程等。E-mail:meeywzhu@nuaa.edu.cn

中图分类号: TG58
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出版历程
- 修回日期: 2015-12-15
- 网络出版日期: 2022-07-27

Parameter optimization of sapphire wafer lapping with fixed abrasive pad

Jiangsu Key Laboratory of Precision and Micro-Manufacturing Technology, College of Mechanical andElectrical Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210016, China

摘要

摘要: 为了满足蓝宝石晶片高效低损伤的加工要求，采用亲水性固结磨料研磨垫研磨蓝宝石晶片的工艺，研究基体中碳化硅粒度尺寸、基体类型、金刚石粒度尺寸及研磨液中磨料4个因素对材料去除率和表面粗糙度的影响，并综合优化获得高加工效率和优表面质量的工艺参数。实验结果表明：基体中碳化硅粒度尺寸为10 μm、基体类型为Ⅱ、研磨垫采用F公司粒度尺寸为35~45 μm的金刚石、研磨液中磨料的粒度尺寸为5 μm的碳化硅为最优工艺组合，亲水性固结磨料研磨蓝宝石的材料去除率为431.2 nm/min，表面粗糙度值为R_a 0.140 2 μm。
- 亲水性固结磨料 /
- 蓝宝石晶片 /
- 研磨 /
- 去除率 /
- 表面粗糙度
Abstract: In order to meet the requirements of the high processing efficiency and low damage of sapphire wafer,hydrophilic fixed abrasive lapping technology was adopted.The effects of silicon carbide particle size in matrix,matrix types,diamond particle size and abrasive in the slurry on material removal rate and surface roughness were investigated.The optimized process parameters for high material removal rate and good surface quality were obtained,which were 5 μm of SiC abrasive in the slurry,35-45 μm of diamond particle by company F,Ⅱof matrix type,10 μm of SiC particle size in matrix.The material removal rate could reach 413.2nm/min and average surface roughness R_a 0.140 2 μm.
- hydrophilic fixed abrasive pad /
- sapphire wafer /
- lapping /
- material removal rate /
- surface roughness