选取Ti、Si、玻璃碳3种基底，采用微波等离子体化学气相沉积技术，以CH₄/H₂为反应源制备超薄多晶金刚石膜。通过SEM、Raman、台阶仪表征并分析所制备的金刚石薄膜整体形态、表面（断面）形貌、组成、应力状态等。结果表明：仅以玻璃碳为基体生长的金刚石膜能自动剥离形成完整自支撑体，且薄膜表面晶粒的晶面显形清晰，膜厚仅为10 μm; Raman光谱表征表明薄膜呈强的尖锐金刚石特征峰，且计算的残余应力最低，仅有−0.2161 GPa。可为超薄自支撑CVD金刚石膜的一步法生长-剥离提供新的技术途径。

采用热丝化学气相沉积法（hot filament chemical vapour deposition，HFCVD）在不同表面粗糙度的Si₃N₄基底表面制备金刚石薄膜，并对薄膜的特性进行检测与分析。利用场发射电子扫描显微镜、原子力显微镜检测植晶后的Si₃N₄基底表面以及制备的金刚石薄膜表面形貌；利用多功能摩擦磨损实验机、探针式轮廓仪，在干摩擦条件下，测试金刚石薄膜的摩擦系数及磨损率。综合基底粗糙度对植晶质量的影响、金刚石薄膜表面形貌与摩擦磨损检测实验结果，确定了Si₃N₄基底表面粗糙度对金刚石薄膜耐磨性的影响。结果表明：基底表面粗糙度会影响植晶的均匀性及致密性，进而影响金刚石颗粒在基底表面的生长，同时基底的表面形貌也会复映在金刚石薄膜表面。表面粗糙度为0.15 μm和0.20 μm的基底所制备的金刚石薄膜拥有较好的耐磨性，可得到最低的磨损率1.75 × 10⁻⁷ mm³/（m·N）和最低的摩擦系数0.078。