CN 41-1243/TG ISSN 1006-852X

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温度对MPCVD法同质外延单晶金刚石缺陷的影响

丁康俊 马志斌 宋修曦 夏禹豪 耿传文

丁康俊, 马志斌, 宋修曦, 夏禹豪, 耿传文. 温度对MPCVD法同质外延单晶金刚石缺陷的影响[J]. 金刚石与磨料磨具工程, 2018, 38(2): 8-11,19. doi: 10.13394/j.cnkij.gszz.2018.2.0002
引用本文: 丁康俊, 马志斌, 宋修曦, 夏禹豪, 耿传文. 温度对MPCVD法同质外延单晶金刚石缺陷的影响[J]. 金刚石与磨料磨具工程, 2018, 38(2): 8-11,19. doi: 10.13394/j.cnkij.gszz.2018.2.0002
DING Kangjun, MA Zhibin, SONG Xiuxi, XIA Yuhao, GENG Chuanwen. Effect of temperature on defects in homoepitaxial single crystal diamond by MPCVD[J]. Diamond & Abrasives Engineering, 2018, 38(2): 8-11,19. doi: 10.13394/j.cnkij.gszz.2018.2.0002
Citation: DING Kangjun, MA Zhibin, SONG Xiuxi, XIA Yuhao, GENG Chuanwen. Effect of temperature on defects in homoepitaxial single crystal diamond by MPCVD[J]. Diamond & Abrasives Engineering, 2018, 38(2): 8-11,19. doi: 10.13394/j.cnkij.gszz.2018.2.0002

温度对MPCVD法同质外延单晶金刚石缺陷的影响

doi: 10.13394/j.cnkij.gszz.2018.2.0002
基金项目: 

国家自然科学基金(No.11575134)

详细信息
    作者简介:

    丁康俊,男,1993年生,硕士研究生。主要研究方向:等离子体技术与薄膜材料。E-mail:496953520@qq.com

    通讯作者:

    马志斌,男,1968年生,教授,博导。主要研究方向:等离子体技术与CVD金刚石相关研究。E-mail:mazb@wit.edu.cn

  • 中图分类号: TQ164

Effect of temperature on defects in homoepitaxial single crystal diamond by MPCVD

  • 摘要: 利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在含有缺陷的单晶金刚石种晶上进行同质外延生长实验,在其他沉积参数保持相同的情况下,研究温度对生长的单晶金刚石缺陷的影响。通过发射光谱、拉曼光谱以及SEM对单晶金刚石进行表征。实验结果表明:单晶金刚石温度越高,金刚石表面的等离子体发射光谱中的谱线强度比值I(C2)/I(Hα)也越高;而电子温度越低,等离子体中粒子间的碰撞更加剧烈。在740℃沉积时,单晶金刚石表面会在同质外延生长后出现从缺陷处贯穿的裂痕;在780和820℃沉积时,单晶金刚石表面缺陷有被抑制和覆盖的趋势,缺陷面积减小;而在860℃沉积时,缺陷面积扩大且凸起更为明显。因此,在适宜温度下生长的单晶金刚石质量较好,金刚石特征峰偏移小、应力较小;温度过高或不足,金刚石特征峰向低波数偏移程度较大,压应力较大。

     

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出版历程
  • 修回日期:  2018-01-12
  • 网络出版日期:  2022-07-07

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