CN 41-1243/TG ISSN 1006-852X

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碳化硅晶片减薄用金属间化合物粘结剂金刚石砂轮制备及性能研究

陈帅鹏 何珂桥 康希越 贺跃辉 陈豫章

陈帅鹏, 何珂桥, 康希越, 贺跃辉, 陈豫章. 碳化硅晶片减薄用金属间化合物粘结剂金刚石砂轮制备及性能研究[J]. 金刚石与磨料磨具工程. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2023.0250
引用本文: 陈帅鹏, 何珂桥, 康希越, 贺跃辉, 陈豫章. 碳化硅晶片减薄用金属间化合物粘结剂金刚石砂轮制备及性能研究[J]. 金刚石与磨料磨具工程. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2023.0250
Preparation and propertiesof intermetallic-bonded diamond grindingwheel for thinning silicon carbide wafers[J]. Diamond & Abrasives Engineering. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2023.0250
Citation: Preparation and propertiesof intermetallic-bonded diamond grindingwheel for thinning silicon carbide wafers[J]. Diamond & Abrasives Engineering. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2023.0250

碳化硅晶片减薄用金属间化合物粘结剂金刚石砂轮制备及性能研究

doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2023.0250

Preparation and propertiesof intermetallic-bonded diamond grindingwheel for thinning silicon carbide wafers

  • 摘要: 与硅基材料相比,碳化硅因其导热性好、击穿电场强度高和禁带宽度大等特性成为了芯片制造的理想基底材料。但碳化硅晶片莫氏硬度高达9.5,磨削困难。实现碳化硅单晶片的磨削减薄加工,降低磨削成本,提高碳化硅晶片的加工质量,成为了半导体行业亟待解决的问题。本文探究采用Cu3Sn和Cu6Sn5金属间化合物作为粘结剂,制备了面向碳化硅晶片粗磨和精磨的金刚石砂轮。实验研究结果表明:此种超硬材料砂轮能够适用于SiC单晶片的磨削加工,所制备的2000#金刚石粗磨砂轮磨削6英寸碳化硅晶片的磨耗比达1:5,碳化硅晶片表面光洁度为11 nm;12000#金刚石精磨砂轮磨耗比1:0.6,表面光洁度达2.076 nm,TTV小于3 µm,磨削效果良好,可满足工业生产需要。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2023-11-23
  • 修回日期:  2024-01-31
  • 录用日期:  2024-02-20
  • 网络出版日期:  2024-02-21

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