CN 41-1243/TG ISSN 1006-852X

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抛光垫及抛光液对固结磨料抛光氧化镓晶体的影响

吴成 李军 侯天逸 于宁斌 高秀娟

吴成, 李军, 侯天逸, 于宁斌, 高秀娟. 抛光垫及抛光液对固结磨料抛光氧化镓晶体的影响[J]. 金刚石与磨料磨具工程. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2022-0043
引用本文: 吴成, 李军, 侯天逸, 于宁斌, 高秀娟. 抛光垫及抛光液对固结磨料抛光氧化镓晶体的影响[J]. 金刚石与磨料磨具工程. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2022-0043
Effect of pad and slurry on fixed abrasive polishing of gallium oxide crystal[J]. Diamond & Abrasives Engineering. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2022-0043
Citation: Effect of pad and slurry on fixed abrasive polishing of gallium oxide crystal[J]. Diamond & Abrasives Engineering. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2022-0043

抛光垫及抛光液对固结磨料抛光氧化镓晶体的影响

doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2022-0043

Effect of pad and slurry on fixed abrasive polishing of gallium oxide crystal

  • 摘要: 氧化镓晶体具有高禁带宽度、耐高压、短吸收截止边等优点,是最具代表的第四代半导体材料,具有广阔的应用前景。氧化镓晶体抛光过程易出现微裂纹、划痕等表面缺陷,实现高质量表面加工难,无法满足相应器件的使用要求,且现有的氧化镓晶体抛光工艺复杂、效率低。固结磨料抛光技术具有磨粒分布及切深可控、磨粒利用率高等优点。采用固结磨料抛光氧化镓晶体,探究抛光垫和抛光液对抛光材料去除率和表面质量的影响。结果表明:当抛光垫基体硬度适中为Ⅱ、磨粒浓度100%、抛光液添加剂为草酸时,固结磨料抛光氧化镓晶体的材料去除率为68 nm/min,表面粗糙度Sa值为3.17 nm。采用固结磨料抛光技术可以实现氧化镓晶体的高效高质量抛光。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2022-04-10
  • 修回日期:  2022-06-14
  • 录用日期:  2022-06-17
  • 网络出版日期:  2022-06-17

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