CN 41-1243/TG ISSN 1006-852X

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硅片化学机械抛光技术的研究进展

徐嘉慧 康仁科 董志刚 王紫光

徐嘉慧, 康仁科, 董志刚, 王紫光. 硅片化学机械抛光技术的研究进展[J]. 金刚石与磨料磨具工程, 2020, 40(4): 24-33. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.4.0004
引用本文: 徐嘉慧, 康仁科, 董志刚, 王紫光. 硅片化学机械抛光技术的研究进展[J]. 金刚石与磨料磨具工程, 2020, 40(4): 24-33. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.4.0004
XU Jiahui, KANG Renke, DONG Zhigang, WANG Ziguang. Review on chemical mechanical polishing of silicon wafers[J]. Diamond & Abrasives Engineering, 2020, 40(4): 24-33. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.4.0004
Citation: XU Jiahui, KANG Renke, DONG Zhigang, WANG Ziguang. Review on chemical mechanical polishing of silicon wafers[J]. Diamond & Abrasives Engineering, 2020, 40(4): 24-33. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.4.0004

硅片化学机械抛光技术的研究进展

doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.4.0004
基金项目: 

国家重点研发计划课题(2016YFB1102205)。

装备预研教育部联合基金(6141A02022128)

国家自然科学基金面上项目(51975095)

详细信息
    作者简介:

    徐嘉慧,女,1996年生,硕士研究生。主要研究方向:硬脆晶体超精密加工技术。E-mail: xjh1639360785@163.com

    通讯作者:

    王紫光,男,1984年生,博士。主要研究方向:硬脆材料超精密加工技术。E-mail: wangzg@djtu.edu.cn

  • 中图分类号: TG58;TN405

Review on chemical mechanical polishing of silicon wafers

  • 摘要: 随着硅片厚度的增大和芯片厚度的减小,硅片在加工中的材料去除量增大,如何提高其加工效率就成了研究的热点之一。由于化学机械抛光过程复杂,抛光后硅片的质量受到多种因素的影响,主要包括抛光设备的技术参数、耗材(抛光垫和抛光液)的性质和硅片自身在抛光时的接触应力状态等。本文介绍了硅片化学机械抛光技术的研究进展,讨论了影响硅片抛光后表面质量和表面材料去除率的因素,如抛光液、抛光垫、抛光压力等,并对目前用于硅片化学机械抛光的先进设备进行了综述。

     

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  • 修回日期:  2020-06-02

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