CN 41-1243/TG ISSN 1006-852X

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单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展

邓家云 潘继生 张棋翔 郭晓辉 阎秋生

邓家云, 潘继生, 张棋翔, 郭晓辉, 阎秋生. 单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展[J]. 金刚石与磨料磨具工程, 2020, 40(1): 79-91. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.1.0013
引用本文: 邓家云, 潘继生, 张棋翔, 郭晓辉, 阎秋生. 单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展[J]. 金刚石与磨料磨具工程, 2020, 40(1): 79-91. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.1.0013
DENG Jiayun, PAN Jisheng, ZHANG Qixiang, GUO Xiaohui, YAN Qiusheng. Research progress in chemical mechanical polishing of single crystal SiC substrates[J]. Diamond & Abrasives Engineering, 2020, 40(1): 79-91. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.1.0013
Citation: DENG Jiayun, PAN Jisheng, ZHANG Qixiang, GUO Xiaohui, YAN Qiusheng. Research progress in chemical mechanical polishing of single crystal SiC substrates[J]. Diamond & Abrasives Engineering, 2020, 40(1): 79-91. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.1.0013

单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展

doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.1.0013
基金项目: 

NSFC-广东省联合基金(No.U1801259)

佛山市科技创新专项资金项目(No.2018IT100242)

广东省自然科学基金(No.2019A1515011243)

广州市科技计划项目(No.201904010300)。

详细信息
    作者简介:

    邓家云,男,1991年生,博士研究生。主要研究方向:光学晶片超精密加工、化学机械抛光、磁流变抛光技术、电芬顿技术等。E-mail: 1758328879@qq.com

    通讯作者:

    潘继生,男,1980年生,博士,副教授。主要研究方向:超精密加工与制造技术、光电晶片平坦化加工工艺、磁流变抛光技术、智能材料开发与应用。E-mail: panjisheng@gdut.edu.cn

  • 中图分类号: TN305.2

Research progress in chemical mechanical polishing of single crystal SiC substrates

  • 摘要: 单晶SiC因其优异的物理化学性质而成为重要的外延衬底材料,广泛应用于卫星通信、集成电路和消费电子等领域。衬底外延生长需要单晶SiC具有较低的加工表面损伤和残余应力的超光滑平坦表面,其表面质量决定了后续的外延层质量并最终影响器件的性能。化学机械抛光(CMP)是目前实现单晶SiC基片超精密加工的一种常用且有效方法。我们综述了单晶SiC基片化学机械抛光加工的研究现状,根据加工原理进行归类并分析了各种类别的优缺点及运用局限,指出了其在化学机械抛光领域的发展前景。

     

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出版历程
  • 修回日期:  2019-12-10
  • 网络出版日期:  2022-04-06

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